次世代EUVリソグラフィー向けMOR関連特許分析

6/1/2026

半導体製造の微細化が限界に達する中、次世代の露光技術であるHigh-NA EUVへの対応が急務となっていて、従来の有機レジストに代わり、光吸収率と解像度に優れた金属酸化物レジスト（MOR）への転換が、物理的制約を打破する鍵として注目されているということです。
生成AIに、次世代EUVリソグラフィー向けメタル酸化物レジスト（MOR）の技術分析で現れた各企業の次世代EUVリソグラフィー向けメタル酸化物レジスト（MOR）関連特許出願状況の分析を行わせ、各社の次世代EUVリソグラフィー向けメタル酸化物レジスト（MOR）関連特許出願戦略を分析させました。さらに、結果をNotebookLMでインフォグラフィック、スライド資料にさせました。
なお、生成AIによる調査・分析結果は、公開された情報からだけの分析であり、必ずしも実情を示したものではないこと、誤った情報も含まれていることについてはご留意されたうえで、ご参照ください。

半導体レジストの新星「MOR」、ADEKAが材料　東エレクに米社挑む2025.12.12
https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/00001/11259/

Patent Analysis of Metal Oxide Resists (MOR) for Next-Generation EUV Lithography
As the miniaturization of semiconductor manufacturing approaches its physical limits, addressing High-NA EUV, the next-generation lithography technology, has become an urgent priority. Against this backdrop, a shift from conventional organic resists to metal oxide resists (MOR)—which offer superior EUV absorption and resolution—is attracting attention as a key means of overcoming these physical constraints.
Using generative AI, we conducted an analysis of the patent filing landscape related to metal oxide resists (MOR) for next-generation EUV lithography, as identified through a technical analysis of MOR technologies. Based on this, we examined the patent filing strategies of individual companies in this field. The results were further transformed into infographics and presentation materials using NotebookLM.
Please note that the analyses and findings generated by AI are based solely on publicly available information and therefore may not fully reflect actual circumstances. They may also contain inaccuracies, and should be interpreted with these limitations in mind.

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